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观点网讯：8月11日，据韩媒报道，SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。

公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。

据悉，该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。

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