国家知识产权局信息显示，南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请一项名为“电流扩展增强的侧向注入氮化镓基VCSEL”的专利，公开号CN122552938A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明公开了一种电流扩展增强的侧向注入氮化镓基VCSEL，包括侧向电流注入结构，侧向电流注入结构包括：电流孔径层、电流限制层和欧姆接触金属层；电流孔径层设于P型层的表面，至少包括第一子层和第二子层，第二子层邻近P型层，第一子层设于第二子层背离P型层的一侧；第二子层的电阻率高于第一子层；电流孔径层具有凸台结构，凸台结构至少包括第一子层，限定出凹槽；欧姆接触金属层仅与凸台结构的侧壁之间形成欧姆接触。工作时，电流从欧姆接触金属层注入，经由凸台结构的侧壁进入电流孔径中的第一子层，由于第二子层的电阻率高于第一子层，迫使电流优先在第一子层中横向扩展、实现均匀分布，并继续进入有源区，实现电流的扩展增强。

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作者：情报员