国家知识产权局信息显示，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司申请一项名为“基于热力梯度补偿的微腔室批量刻蚀装置和方法”的专利，公开号CN122555395A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，发明属于半导体制造设备领域，公开了一种热力梯度补偿的微腔室批量刻蚀装置及方法，该装置包括上腔体、固定设置的中间板、下腔体、升降装置及由其驱动的底板，底板上设有用于垂直堆叠多层晶圆的卡夹。上腔体内设有喷淋孔呈垂直梯度分布的进气扩散板，并配置有在垂直方向上独立控温的多区加热系统。刻蚀时，底板上升并与中间板压紧密封，瞬时构建限域微反应空间；通入工艺气体后，多区加热系统在该空间内构建与工艺气体浓度衰减梯度方向相反的垂直温度梯度，以对冲刻蚀速率差异。本发明通过空间重构与热力补偿的协同作用，有效抑制了批量刻蚀中的负载效应，将25片晶圆的片间均匀性控制在8%以内，同时加快了气体置换速度，保护了传动机构免受腐蚀，实现了高速率、高均匀性的批量气相刻蚀。

天眼查资料显示，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本720.9166万人民币。通过天眼查大数据分析，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息5条。

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作者：情报员