国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“GaN集成电路芯片及其制造方法”的专利，公开号CN122555221A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请提供了一种GaN集成电路芯片，包括：外延基层，所述外延基层包括沟道层和势垒层；形成在所述外延基层上的第一欧姆指条、第二欧姆指条和第三欧姆指条，所述第一欧姆指条、所述第二欧姆指条、所述第三欧姆指条沿宽度方向并列设置，所述第二欧姆指条沿宽度方向位于所述第一欧姆指条和所述第三欧姆指条之间；所述第一欧姆指条以及所述第二欧姆指条均穿过所述势垒层与所述沟道层接触；所述第一欧姆指条与所述第二欧姆指条沿宽度方向之间设置有栅极单元，由此所述第一欧姆指条、所述栅极单元以及所述第二欧姆指条形成GaN FET；所述第三欧姆指条形成在所述势垒层的上方，由此与所述第二欧姆指条形成二极管。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息48条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员