国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于环绕式栅极纳米片输入/输出装置的共形氧化”的专利，公开号CN122555178A，申请日期为2021年7月。

专利摘要显示，描述水平环绕式栅极器件及制造其的方法。所述hGAA器件包含氧化层，所述氧化层位于半导体材料上，所述半导体材料介于器件的源极区域与漏极区域之间。所述方法包括：介于电子器件的源极区域与漏极区域之间的半导体材料层的自由基等离子体氧化(RPO)。

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作者：情报员