国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122555209A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括高压和/或中压器件区；对半导体衬底进行氧化促进离子注入，以提高高压和/或中压器件区的有源区的边缘区域的氧化速率；形成定义有源区的浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上形成第二掩膜层，在第二掩膜层中形成露出有源区的栅氧凹槽；对栅氧凹槽底部露出的半导体衬底进行热氧化，以形成高压和/或中压器件的栅氧化层，其中，有源区的边缘区域具有氧化促进离子，使得边缘区域的氧化速率高于有源区的中心区域。本发明能够改善高压和/或中压器件有源区的拐角轮廓，提高栅氧化层厚度的一致性。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目194次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1106条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员