国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“DRAM装置及其制造方法”的专利，公开号CN122555150A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种DRAM装置及其制造方法。DRAM装置至少包括基板、器件隔离结构、多条位线、多个位线触点、多个间隔结构和多个电容器着陆触点。器件隔离结构设置在基板中，以定义多个有源区。位线配置于基板上。位线触点位于位线下方并连接至有源区的第一部分，其中每个位线触点均具有颈缩部。间隔结构垂直延伸于每条位线的侧壁以及每个位线触点的侧壁。电容器着陆触点则位于位线之间并连接至有源区的第二部分。

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作者：情报员