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2026年8月12日，铠侠与闪迪联合发布第九代高性能2Tb QLC 3D闪存，该技术专为AI驱动的基础设施及数据密集型应用设计，旨在满足AI工作负载持续攀升的存储需求。

该技术基于两家公司联合研发的CBA（CMOS直接键合到阵列）架构，将先进的CMOS晶圆与成熟存储阵列平台相结合，并融入多项设计与器件层面的创新，在提升性能的同时，也支持更具资本效率的制造与部署流程。

与上一代第八代2Tb QLC产品相比，新品采用6平面架构并引入多项性能增强设计，实现了更高的写入与读取带宽，同时显著改善了读写能效。其NAND接口速度高达4.8Gb/s，较第八代产品提升33%，能够更快地支撑云及数据密集型场景下先进存储解决方案的落地。

铠侠首席技术官宫岛英史表示，随着AI应用正从生成式AI向智能体及物理AI扩展，数据利用日趋复杂多样，公司通过将成熟的存储单元技术与最新的CMOS技术相融合，加速推进第九代闪存的开发，从而在保持较高投资效率的同时实现高性能。

闪迪首席技术官Alper Ilkbahar则强调，AI的快速普及正加速存储接口的迭代升级，第九代QLC技术充分展现了CBA架构在独立推进CMOS与存储技术创新方面的独特灵活性，能够以更高的资本效率，更快地将新能力推向市场。

总的来看，此次铠侠与闪迪联合发布的第九代QLC技术，不仅以6平面架构和4.8Gb/s接口速度树立了性能新标杆，更通过CBA架构所赋予的独立演进策略，为存储行业提供了一条兼顾创新效率与成本控制的可持续发展路径。

此举有望加速大容量QLC NAND在AI服务器、大数据分析及自动驾驶等场景中的规模化部署，助力客户在数据爆炸的时代中充分释放业务潜能，同时也为双方在下一代3D NAND技术竞争中奠定了坚实的合作基础。

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