不要了、不买了！三星、台积电集体拒绝：ASML的EUV光刻机为何不香了|euv|三星电子|台积电|知名企业|艾司摩尔

说到芯片制造，相信很多人都知道一个行业普遍达成共识的规则：拥有EUV光刻机，就可以制造出先进芯片。而正是基于这一点，全球唯一能够量产EUV光刻机的企业——荷兰ASML公司，仿佛坐上了直升机一般，快速飞升，短短几年时间就成为全球光刻机领域的绝对霸主。

在高端芯片制造领域，则流传着一句话：谁拥有更多的EUV光刻机，就拥有更多的话语权。这也是台积电、三星、英特尔拼命抢夺EUV光刻机订单的核心原因。在过去很长时间里，ASML公司所生产的EUV光刻机，几乎都被这三大巨头收入囊中，ASML公司造多少，三大巨头就要多少，完完全全的供不应求，现实版的“躺着赚钱”。

当然，说到EUV光刻机，其中还有一个小插曲。当年中芯国际也曾向ASML公司下订购买了一台EUV光刻机，本来都要交付了，但美国突然颁布了禁令，卡“死”了EUV光刻机出口给中企这条路，所以最终中芯国际也没能拥有一台EUV光刻机。

对于当时的ASML公司而言，EUV光刻机根本不愁卖，不卖给中芯国际，还有台积电、三星、英特尔等等巨头企业等着买。所以在美芯禁令颁布之后，ASML公司很快响应，不再向中企交付EUV光刻机，后续还配合美国收紧了一些DUV光刻机的出口。

如此风光的ASML公司或许也想不到，曾一机难求的EUV光刻机，竟然有一天会被拒之门外。三星、台积电集体拒绝，不要了、不买了！这究竟是怎么回事呢？ASML的EUV光刻机为何不香了？

这件事情还要聚焦到号称能支撑1nm以下顶级芯片制造的High NA高数值孔径EUV光刻机上，原本被行业给予厚望，但现如今，不管ASML公司如何给自家设备“贴金”，台积电、三星都冷处理，丝毫没兴趣。

其中，台积电很早就已经表态了，2nm、1.4nm节点完全不用这款设备。而三星更是选择了绕道，直接修改技术路线，把采购量产时间硬生生推迟到2030年的1nm节点。很显然，这两大代工巨头对于这款先进的EUV光刻机并没有太强的购买欲望，都选择了观望。

但这样的选择，是ASML公司完全没想到的，彻底打乱了ASML公司规划多年的设备普及节奏。更让ASML公司头疼的事情是，台积电、三星的态度，对外会传递一个强烈的信号，那就是曾经被奉为行业刚需的顶级光刻机，不再是刚需了。万一引起“骨牌效应”，那就太可怕了。

很多人会疑惑，ASML的EUV不是先进芯片的刚需吗？为什么手握海量订单的台积电、三星同时踩刹车？核心原因就两个：天价成本扛不住，配套产业链跟不上。翻译成大白话就是，买不起、不需要！

先算一笔直观的账，现在量产在用的0.33NA常规EUV，单台价格大约1.8亿美元，而新款High NA光刻机售价直接冲到3.5至4亿美元，一台机器能抵两台半老款设备。买机器只是花钱的起点，这款设备体积重达165吨，光学结构重新设计，现有洁净厂房、传输设备、检测仪器全部要改造，整条产线配套改造投入轻松再追加十几亿美元。更现实的痛点是，High NA单次曝光面积只有传统EUV的一半，生产大尺寸AI芯片时需要拼接曝光，反而拖慢生产效率，无形中进一步拉高生产成本。

除了硬件投入，上下游配套生态的短板才是真正拦路虎。这款新型光刻机需要专属高透光掩膜薄膜、定制化EUV光刻胶、全新量测校验设备，目前全球相关材料、零部件都还处在实验室调试阶段，达不到大规模稳定量产标准。

对台积电、三星这种靠代工盈利的企业来说，芯片客户对价格极其敏感，AI芯片、手机处理器的成本管控容不得无底线烧钱。与其花几百亿上新设备，不如沿用成熟的老款EUV，搭配多重曝光技术迭代工艺，既能稳住良率，又能把生产成本压在客户可接受范围内，这笔生意账算下来一目了然。

这里要区分清楚，两家巨头不是彻底放弃High NA技术，只是现阶段坚决不量产落地。从物理原理来讲，当芯片制程走到1nm级别，晶体管尺寸逼近原子极限，多重曝光会出现严重的线路偏移、边缘粗糙缺陷，只有0.55NA的高数值孔径光刻机，能通过单次曝光规避大量工艺缺陷，到那个节点，这款设备才是绕不开的刚需。只是按照目前的技术进度，2030年前后才会真正到必须使用的阶段，提前七八年砸钱建厂完全得不偿失，现阶段旧设备就够用了。

那么问题来了，ASML公司的EUV光刻机不再吃香，对中国芯有什么影响吗？

答案是肯定的，这件事换个角度看，反而给国内芯片产业留出了难得的发展窗口期。长期以来，行业默认先进制程必须依赖EUV光刻机，国内也因为设备禁运卡在5nm以下节点。现在国际大厂主动放缓High NA迭代，证明传统芯片技术路径快到头了。但其实先进制程存在折中路线，依靠DUV多重曝光完全能打通2nm、1.4nm工艺，这条路正是我们当下正在深耕的方向。

中芯国际依靠DUV多重曝光技术稳定实现等效7nm芯片量产，成熟制程产业链已经形成完整闭环。同时国内多条差异化光刻技术路线持续突破，双光束超分辨光刻、纳米压印、X射线光刻等新技术持续迭代，绕开ASML的EUV垄断方案逐步落地。当下全球行业放缓高端设备迭代，我们拥有充足时间打磨国产DUV设备、光刻胶、掩膜版等配套材料，稳步补齐全产业链短板。