国家知识产权局信息显示，广东德赛矽镨技术有限公司取得一项名为“一种系统级封装的功率半导体器件”的专利，授权公告号CN224638443U，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本实用新型涉及一种系统级封装的功率半导体器件，包括基板、第一MOS元件、第二MOS元件、键合线、金属框架、以及模塑部；第一MOS元件和第二MOS元件均包括设有漏极的第一表面、以及设有源极和栅极的第二表面，第一MOS元件的漏极与第二MOS元件的漏极相对并电性连接；金属框架套设于第一MOS元件和第二MOS元件的外侧，金属框架的一端与第二MOS元件的源极电性连接，金属框架的另一端通过基板与第一MOS元件的源极电性连接；键合线的一端与第二MOS元件的栅极连接，另一端通过基板与第一MOS元件的栅极电性连接；模塑部包覆第一MOS元件、第二MOS元件、金属框架、键合线及至少部分基板，形成封装体。本实用新型能够在提升通流能力的同时满足微型化的设计需求。

天眼查资料显示，广东德赛矽镨技术有限公司，成立于2021年，位于惠州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本14000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东德赛矽镨技术有限公司参与招投标项目28次，专利信息102条，此外企业还拥有行政许可105个。

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作者：情报员