国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种MEMS探针表面形貌优化方法”的专利，公开号CN122559611A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种MEMS探针表面形貌优化方法，包括如下步骤：步骤1：构建MEMS探针的结构图纸，确定所述MEMS探针的外形尺寸；步骤2：获取初步成型的MEMS探针；步骤3：采用皮秒激光对步骤2得到的MEMS探针进行原位表面形貌优化处理，根据所述MEMS探针表面熔渣尺寸与MEMS探针实际厚度，自适应选择局部定点除渣模式或整体均匀去量模式，以平行扫描方式对MEMS探针表面进行均匀去量，获得表面平整的MEMS探针。本发明针对不同加工工况匹配差异化激光加工参数，可精准去除冷烧蚀产生的熔渣与球状重铸层，无需机械抛光、化学刻蚀等后续处理，有效避免应力变形与化学杂质污染，提升MEMS探针表面平整度与电学接触性能，工艺稳定性好，适配MEMS探针规模化精密制造。

天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本12955.93万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目55次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息389条，此外企业还拥有行政许可20个。

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作者：情报员