A股存储芯片板块开盘活跃，消息面上，隔夜美股存储板块大涨，闪迪涨超13%，西部数据、海力士涨超7%。闪迪周四在2026年投资者日上公布长期增长战略及新的多年期财务框架。公司表示，随着人工智能(AI)从训练进一步向推理阶段扩张，数据中心对高性能、大容量和低功耗存储的需求将显著增加，预计到2030年企业数据中心闪存潜在市场规模将扩大至1.2ZB。与此同时，闪迪预计2028至2030财年营收将保持中高双位数增长，非GAAP毛利率维持在约80%，调整后自由现金流利润率达到约50%。

平安证券指出，台积电已将2026年资本支出大幅上调至600–640亿美元，其中70%-80%投向先进制程，三星、SK海力士及美光等存储大厂亦同步扩大投资，重点布局HBM、先进DRAM/NAND产能。受此拉动，SEMI预计2026年全球晶圆制造设备市场规模将达1439亿美元，并有望在2028年攀升至2000亿美元历史高位，中国大陆存储扩产叠加国产替代逻辑，将为本土设备厂商带来明确增长动能。

截至2026年8月14日 09:42，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.41%，成分股联芸科技上涨6.85%，普冉股份上涨4.58%，纳芯微上涨3.71%，帝奥微，思瑞浦等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨1.74%，最新价报1.11元。

科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年7月31日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为海光信息、澜起科技、寒武纪、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、盛科通信、晶晨股份、普冉股份、东芯股份，前十大权重股合计占比63.35%。

科创芯片设计ETF鹏华(589170)，场外联接(A：027608；C：027609)。