国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“用于电子背散射衍射分析的半导体膜层样品的制备方法及其应用”的专利，公开号CN122567727A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于电子背散射衍射分析的半导体膜层样品的制备方法及其应用，涉及样品制备技术领域。该用于电子背散射衍射分析的半导体膜层样品的制备方法，包括：在样品的目标位置上依次形成第一保护层和第二保护层；在样品上设置目标区域，目标区域包括含第一保护层和第二保护层的目标位置，对目标区域的边缘进行刻蚀；将目标区域从待分析的样品的基体上分离，并将目标区域固定于载具上，得到待处理的目标样品；利用聚集离子束的离子束刻蚀对待处理的目标样品的双面进行减薄处理，直至其中至少一面露出目标膜层，且满足预设厚度，得到目标样品。本发明能克服当前半导体领域EBSD或TKD样品制备的不足，且制备方法高效、便捷。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可6个。

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作者：情报员