国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司取得一项名为“一种具备高效散热结构的GaN功率驱动IC”的专利，授权公告号CN224638436U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种具备高效散热结构的GaN功率驱动IC，包括电路板、GaN功率器件和驱动IC，所述电路板上表面封装有多个热焊盘，GaN功率器件与驱动IC朝向电路板的一侧面上均在不影响贯穿壳体的情况下设有通风槽，电路板正对于热焊盘的出均嵌入式安装有与通风槽连通的通风管，通风管远离热焊盘的一端均穿过电路板，并呈环形结构安装有多块散热翅叶。本实用新型结构简单，GaN功率器件和驱动IC的底部设有通风槽，并通过横向排出的风能通过通风槽快速的带走其GaN功率器件和驱动IC底部的热量，并且GaN功率器件和驱动IC还通过通风管与下方导通，并结合散热翅叶能进一步的增加与空气的接触面积及散热效率。

天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息24条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员