国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法、存储器系统”的专利，公开号CN122579613A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法。该制作方法包括：在衬底的一侧形成堆叠结构；形成延伸穿过堆叠结构的沟道孔；形成覆盖沟道孔的侧壁和底部的初始沟道层，其中，初始沟道层包括本征半导体层和掺杂半导体层，本征半导体层的结晶温度小于掺杂半导体层的结晶温度；对初始沟道层执行热处理，以形成沟道层，其中，热处理的温度大于或等于本征半导体层的结晶温度且小于掺杂半导体层的结晶温度。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1467次，财产线索方面有商标信息1027条，专利信息6200条，此外企业还拥有行政许可1009个。

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作者：情报员