据报道，三星电子正考虑将其位于韩国天安市和牙山市的后端封装测试设施中的通用DRAM和NAND闪存业务转移至越南。此举旨在释放厂房空间和专用生产线设备，以全力投入高带宽内存（HBM）堆叠这一紧迫任务。截至目前，三星尚未公开确认该计划。
这一考量正值三星大力提升HBM晶圆产量之际。三星计划在2026年底前将月产量从17万片提升至约25万片，增幅达47%。截至本月初，其第六代HBM4产品良率已达80%，远超此前设定的年底目标。维持这一产能爬坡需要后端吞吐量与前端晶圆产出同步，而目前的瓶颈恰恰存在于后端环节。
工艺不兼容迫使产线分离
三星无法在同一楼层并行运行HBM堆叠与通用DRAM及NAND封装，原因在于工艺的根本不兼容性。传统DRAM或NAND封装涉及约700道工序，包括晶圆切割、引线键合等；而HBM堆叠需要额外的约19道材料工程步骤，使用完全不同的设备。这些步骤包括硅通孔（TSV）形成、晶圆减薄至约30微米、精密芯片堆叠以及热压键合（TCB）。由于架构差异巨大，HBM所需设备无法执行常规封装操作。
三星早前确认，其在天安工厂的C1、C2和C3生产线已处于满负荷HBM堆叠状态。若不移除占用相同洁净室空间的通用封装设备，便无扩展空间。牙山工厂虽新建了专为HBM设计的八层后端大楼，但其HBM生产线同样无法与通用封装共享空间。行业消息人士称，这是一种“双轨”策略：来自天安的人员调往牙山的新型HBM设施，而来自牙山的通用DRAM封装则移至越南。
越南成为后端业务新枢纽
这一计划建立在三星数十年在越基础设施之上。三星在越南投资总额已超过230亿美元，是其最大的海外投资。近期，三星向越南当局提交了一份在北部太原省建设半导体测试厂的提案，造价约14.9亿美元。该工厂专注于传统DRAM和NAND闪存测试，建设工作已于2026年初启动，预计2027年11月投产，每年可验证高达1533亿Gb的DRAM和2556亿Gb的NAND。
越南已成为英特尔、安靠科技等企业后端运营的重要枢纽，拥有成熟的熟练劳动力和供应商生态系统，这正是三星计划转移的业务类型。
HBM：AI时代的关键瓶颈
高带宽内存是实现大规模前沿人工智能的关键。三星当前的HBM4架构通过2,048位宽总线通信，每堆栈提供至少2TB/s带宽。HBM需求每年增长70%，预计到2026年将占DRAM总晶圆产量的约25%。由于每个HBM晶圆消耗的常规DRAM资源约为三至四倍，这种取舍是刻意为之：HBM利润率远高于通用内存，且在AI加速器设计中不可替代。
2026年6月，英伟达CEO黄仁勋确认，三星、SK海力士和美光均已完成为Vera Rubin供应HBM4的资格认证。供应链分析师估计，SK海力士持有Vera Rubin分配中60%至70%的HBM4份额，三星供应约25%至30%。缩小这一差距要求三星将更多晶圆产出转化为可发货的HBM堆栈，这直接依赖于后端吞吐量的提升。
三星HBM4良率已从2月量产初期的不足60%攀升至8月的约80%，部分得益于热压非导电胶膜键合工艺的改进。此外，三星已于2026年5月向主要客户交付首批HBM4E样品。为支持前端产出，三星正扩大平泽P4设施产能，计划2026年底前将1c DRAM月产能提升至20万片。
战略重心转向AI内存
如果三星推进后端搬迁，其影响将超出自身生产数字。行业分析师指出，HBM堆叠是AI芯片供应链中仅次于台积电CoWoS的第二大瓶颈。后端产能决策将决定2027年的AI内存供应。
三星已停止MLC NAND闪存产品线，并暂停LPDDR4订单，表明其正战略退出通用内存细分市场，集中资源于高利润的AI内存。越南后端搬迁将是这一战略在空间和操作层面的体现。该计划能否实施，取决于越南新测试厂吸收传统内存产量的速度，以及HBM需求轨迹。目前信号表明，将晶圆转化为AI内存的后端产线，比转化为通用芯片的产线更具价值，内存制造的地理格局正因这一现实而被重新绘制。
【星途科讯 图文丨王宇洲 首发于ZAKER科技，转载请注明出处】
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