国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“晶圆电荷释放方法”的专利，公开号CN122579931A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本申请公开了一种晶圆电荷释放方法，包括：对晶圆进行预设制备工序，晶圆吸附在静电吸盘上，在所述预设制备工序后，使反应腔保持等离子体激发状态；对静电吸盘进行第一阶段降压，静电吸盘电压从第一电压逐步降低至第二电压；对静电吸盘进行第二阶段降压，静电吸盘电压从第二电压降低至第三电压，在第二阶段降压后，晶圆与静电吸盘分离。本申请方法有利于充分释放晶圆上积累的电荷，降低晶圆上的电荷残余，从而有利于提高产品的良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2098条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息252条，此外企业还拥有行政许可233个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员