国家知识产权局信息显示,诺瓦尔德股份有限公司申请一项名为“金属络合物、包含金属络合物的半导体层及有机电子器件”的专利,公开号CN122580293A,申请日期为2025年6月。

专利摘要显示,本发明涉及一种式(I)的化合物以及包含含有式(I)的化合物的半导体层的有机电子器件

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作者:情报员