国家知识产权局信息显示，硅电子股份公司申请一项名为“用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备”的专利，公开号CN122564755A，申请日期为2020年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种用于生产掺杂有n型掺杂剂的硅单晶的方法和设备，该硅单晶具有圆柱形部分，在该圆柱形部分中电阻率不大于2毫欧姆厘米，该方法包括通过CZ法从包含在坩埚中的熔体提拉单晶。该方法还包括在提拉单晶的圆柱形部分的过程中，向熔体的表面提供气流，该气流包括气态掺杂剂，其中将管道系统中的气流引导到提拉腔室内，并穿过围绕生长的单晶的隔热罩，或沿着隔热罩的外表面，到达隔热罩的下端处的环形通道，并从那里通过喷嘴至熔体的表面。

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作者：情报员