国家知识产权局信息显示，中山新高电子材料股份有限公司申请一项名为“一种聚芳醚酮MPI双面覆铜板及其制备方法”的专利，公开号CN122560511A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种聚芳醚酮MPI双面覆铜板及其制备方法，制备方法步骤如下：制备MPI前驱体胶液、制备PAEK胶液、采用双涂头一次涂布工艺在铜箔一侧形成双层液膜、采用梯度升温方式脱除溶剂，形成MPI层和PAEK层、对改性MPI单面覆铜板的PAEK层进行表面预处理、两改性MPI单面覆铜板的PAEK层对位贴合，通过高温高压压合成型，制得聚芳醚酮MPI双面覆铜板。本发明摒弃传统胶黏剂层压工艺，采用“MPI+PAEK”双层复合涂布结构，既避免了胶黏剂引入导致的介电损耗升高、耐热性不匹配问题，又通过MPI与PAEK的协同改性，改善二者界面相容性，解决了无胶热压时层间结合力弱、易分层翘曲的缺陷。

天眼查资料显示，中山新高电子材料股份有限公司，成立于2005年，位于中山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13221.4193万。通过天眼查大数据分析，中山新高电子材料股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目184次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息81条，此外企业还拥有行政许可46个。

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作者：情报员