国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“监测外延化学气相沉积机台缓冲室压力异常的方法”的专利，公开号CN122588677A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种监测外延化学气相沉积机台缓冲室压力异常的方法。该方法包括：提供监控晶圆，所述监控晶圆包括衬底，所述衬底内形成有注入第一掺杂元素的第一导电类型埋层；在所述衬底上生长掺杂第二掺杂元素的第二导电类型外延层；在所述第二导电类型外延层上沉积有源区垫层薄膜，并进行有源区刻蚀；对所述监控晶圆进行缺陷量测，根据缺陷量测结果监测所述缓冲室压力是否异常。本发明利用特定结构晶圆内部的应力对冲机制，将缓冲室压力异常波动导致的热应力释放不完全转化为可量测的特殊图谱缺陷，从而直观、可靠地实现机台状态监控，避免产品批量报废，提升工艺良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2098条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员