国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于背侧供电网络之选择性氮化硅处理”的专利，公开号CN122603589A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，提供制造逻辑或内存装置的方法。所述方法包括在基板上的源极/漏极凹部中及穿过所述源极漏极凹部内的氧化物衬垫中的开口选择性沉积含硅介电层。所述含硅介电层接着被致密化。

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作者：情报员