国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN122602526A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介质层，形成贯穿所述层间介质层并延伸至所述半导体衬底中的接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部形成阻挡层；去除所述接触孔底部的所述阻挡层，保留所述接触孔侧壁的所述阻挡层；以所述接触孔侧壁的所述阻挡层为掩膜，进行离子注入以及退火处理；去除所述接触孔侧壁的所述阻挡层。本发明通过在接触孔侧壁保留阻挡层作为离子注入的掩膜，有效减小了接触孔离子注入对相邻沟道区域的影响，改善了器件阈值电压的发散问题，缩小了阈值电压的分布范围，提升了器件良率及稳定性。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2107条，此外企业还拥有行政许可119个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息253条，此外企业还拥有行政许可233个。

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作者：情报员