国家知识产权局信息显示，云南大学;华彩光能科技（云南）有限公司申请一项名为“SAMs基空穴传输层的掺杂分子及钙钛矿太阳能电池”的专利，公开号CN122586784A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，具体为SAMs基空穴传输层的掺杂分子及钙钛矿太阳能电池，所述掺杂分子的结构式为如下结构式所示的化合物。本发明不改变SAM分子本身结构，而是在已有的自组装单分子层中物理性引入掺杂分子，利用分子间的π‑π堆叠提升薄膜质量并实现p型掺杂；同时，借助掺杂分子的特定官能团，协同改善界面润湿性、优化能级对齐并钝化界面缺陷，提升钙钛矿太阳能电池的性能。

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作者：情报员