国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“增强型HEMT器件及其制备方法”的专利，公开号CN122622284A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种增强型HEMT器件及其制备方法，一方面，通过在栅极半导体叠层结构的中心部分区域上形成凹槽式的栅极金属层，对器件栅极结构下的电荷产生重分布，使器件整个栅极区域的电场分布更平缓，达到提高器件耐压的效果；在栅极金属层正向导通偏压下，未被栅极金属层覆盖的 n型掺杂的三五族化合物层区域通过下方非故意掺杂及p型掺杂的三五族化合物层和势垒层，对对应位置的势垒层/沟道层异质结界面产生电场调制，减弱 p型掺杂的三五族化合物层对二维电子气的耗尽作用，并提高该区域的二维电子气面密度，扩大增强型HEMT器件的有效栅控范围，降低栅极金属层边缘处的沟道耗尽程度，减小栅控沟道与源漏接入区之间的过渡电阻及电流拥挤。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目862次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息172条，此外企业还拥有行政许可98个。

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作者：情报员