存储芯片与功率半导体景气共振，半导体上游设备材料迎催化密集期，今日早盘，六氟化钨、氮化铝和碳化硅板块作为半导体材料代表领涨。第三/四代半导体材料迎政策助力，功率半导体量价齐升，长江存储IPO提速、摩根士丹利大幅上调存储涨价预期，受多重利好提振，资金加速涌入半导体上游核心资产，科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710） 近3个交易日累计获9.31亿元资金加仓，最新基金份额达114亿份，刷新历史记录。

六氟化钨作为现代半导体制造中不可或缺的关键电子特种气体，是沉积金属钨薄膜的标准前驱体，其高纯度与独特性质直接推动了7纳米以下先进制程、3D NAND闪存及AI芯片的发展。26年AI浪潮持续，核心存储企业已开始大规模扩产，进而将带来六氟化钨等上游材料显著需求增量。

政策层面同步加码。8月19日，上海市科学技术委员会印发《上海张江高新技术产业开发区发展"十五五"规划》，明确提出聚焦高端芯片设计、工艺制造、核心装备与材料等产业链关键环节，加快第三/四代半导体材料技术攻关和产业化落地。分析认为，氮化铝、碳化硅和氮化镓等第三/四代半导体材料是未来功率半导体和射频器件的关键方向，政策明确支持将直接利好相关材料研发与设备企业。

功率半导体领域呈现量价齐升态势。受益于AI、新能源汽车、风电、光伏、储能等下游应用蓬勃发展，功率半导体关键封装部件需求持续增长。与此同时，功率半导体厂商正酝酿第三波价格调整，最快10月起针对非合约产品涨价10%至15%；意法半导体近期亦向客户发出涨价通知，宣布自8月23日起上调多条产品线报价，这也是该企业年内第三次调价。

存储芯片方面，国产NAND龙头长江存储IPO状态于8月19日变更为"辅导验收"，距正式登陆A股再进一步。据市场机构数据，长江存储2026年第二季度全球NAND闪存市场份额已跃升至第三位，一季度营收突破200亿元，同比增长100%。此外，摩根士丹利大幅上调存储芯片涨价预期，预计Q3成熟DRAM价格将上涨50%、Q4再涨10%，SLC NAND今年剩余两个季度每季度涨50%。

科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）跟踪指数为科创半导体材料设备指数，高纯度聚焦半导体上游"材料+设备"领域，两者行业合计占比达89%。尤为值得关注的是，该指数“存储芯片”概念含量超80%、“先进封装”概念含量超67%。场外投资者可关注华泰柏瑞上证科创板半导体材料设备主题ETF发起式联接基金（A类024974/C类024975）。

从历史表现来看，100%科创板选股或赋予标的指数较强的弹性特征。近一年科创半导体材料设备指数累计涨幅达178%，优于同期半导体材料设备主题指数（160%）、中证全指半导体指数（80%）、科创芯片指数（100%）、国证芯片（71%）等部分主流半导体主题指数。

半导体设备材料属于高弹性板块，投资者需关注高估值与交易波动风险，请投资者结合自身风险承受能力，理性判断，谨慎投资。不妨考虑配置的思路，搭配华泰柏瑞“红利全家桶”构建哑铃布局——进攻端通过布局高成长的科技赛道助力把握产业红利，防守端通过红利类资产争取平滑组合波动。

华泰柏瑞基金是国内首批ETF管理人，在指数投资领域深耕超19年，为投资者打造了沪深300ETF华泰柏瑞（510300）、A500ETF华泰柏瑞（563360）等投向透明、交易便捷、费率低廉的指数工具。截至2026年6月末，公司旗下ETF近两年累计为持有人盈利超1806亿元，是同期A股全市场仅有的三家累计盈利超1600亿元的公募基金公司之一。