国家知识产权局信息显示，晋城国科光电科技有限公司申请一项名为“一种GaSb基光子集成芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122620259A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请提供了一种GaSb基光子集成芯片及其制备方法，属于光子集成芯片技术领域；解决了现有GaSb基单频半导体激光器出光功率低、发散角大的问题；该芯片是一种GaSb基三段式光子集成器件，即在GaSb基单频激光器上集成半导体光放大器(Semiconductor Optical Amplifier,SOA)和模斑转换器(Spot Size Converter,SSC)的集成式激光器，包括位于左端的DFB区域、位于中部的SOA区域、位于右端的SSC区域以及连接DFB区域和SOA区域的电隔离区；本申请在不引入额外复杂工艺的同时，不仅提升了激光器芯片整体性能，亦降低了器件封装的复杂度和生产成本。

天眼查资料显示，晋城国科光电科技有限公司，成立于2022年，位于晋城市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，晋城国科光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员