国家知识产权局信息显示，重庆平伟半导体股份有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管的制造方法及结构”的专利，公开号CN122622280A，申请日期为2026年4月。

专利摘要显示，本发明公开一种场效应晶体管的制造方法及结构，对体区进行分区，增大了源区附近的体区浓度，减小了寄生三极管的电阻；并对栅极进行延伸，限制了电流路径，从而阻止寄生三极管的开启。本发明有效地增大了器件的雪崩耐量，同时，不同浓度的体区对应不同介电常数的栅极介质层，使开启电压保持一致，减小了导通电阻。

天眼查资料显示，重庆平伟半导体股份有限公司，成立于2007年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16618.7556万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆平伟半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目33次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息256条，此外企业还拥有行政许可55个。

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作者：情报员