国家知识产权局信息显示,ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利,公开号CN122622699A,申请日期为2026年2月。

专利摘要显示,一种用于形成半导体器件的方法。示例性方法包括可选地形成氧化物层和形成钝化层。形成钝化层包括向反应腔室提供处理前体。处理前体可以是或包括有机含硅前体或有机含硼前体。

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作者:情报员