来源：新浪证券-红岸工作室

8月24日消息，国家知识产权局信息显示，厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制备方法”的专利，授权公告号CN115000268B，授权公告日为2026年8月21日。申请公布号为CN115000268A，申请号为CN202210623876.6，申请公布日期为2026年8月21日，申请日期为2022年6月2日，发明人邬新根、刘英策、林锋杰、刘伟、王锐、崔恒平，分类号H10H20/831、H10H20/841、H10H20/01。

专利摘要显示，本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过外延叠层表面设置绝缘反射层，且所述绝缘反射层具有分别与所述凹槽裸露部和台面裸露部所对应的通孔；同时，在所述通孔内分别设有金属填充层；第一电极，其通过所述通孔层叠于所述凹槽的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面；第二电极，其通过所述通孔层叠于所述台面的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面。从而，通过填孔金属层的设置可以实现绝缘反射层开孔的填平，减少了因绝缘反射层开孔所导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。

乾照光电是国内领先的LED外延片与芯片核心供应商，具备深厚技术积累与全产业链布局优势。公司成立于2006年2月21日，2010年8月12日在深圳证券交易所上市，注册及办公地址均位于福建省厦门市。

乾照光电专注于半导体光电产品的研发、生产和销售，所属申万行业为电子-光学光电子-LED，同时覆盖卫星互联网、航天军工、中盘三大概念板块。

2026年上半年，乾照光电实现营业收入8.9亿元，在10家同行业可比公司中排名第6，当期行业营收第一名洲明科技为35.51亿元，第二名利亚德达28.67亿元，行业平均营收12.06亿元，行业中位数为8.93亿元；公司营收结构高度集中，外延片及芯片业务贡献8.67亿元，占总营收比重97.38%，其他业务收入2334.52万元，占比2.62%。当期公司实现净利润9044.71万元，位列10家同行业可比公司首位，第二名聚灿光电净利润为7704.18万元，行业平均净利润3465.83万元，行业中位数为4104.6万元，盈利表现显著优于行业平均水平。

指标类别具体指标乾照光电当期数值行业排名行业可比头部企业数值行业平均行业中位数营收表现2026年上半年营业收入8.9亿元6/10洲明科技35.51亿元、利亚德28.67亿元12.06亿元8.93亿元营收结构外延片及芯片营收占比8.67亿元，占比97.38%营收结构其他业务营收占比2334.52万元，占比2.62%盈利表现2026年上半年净利润9044.71万元1/10聚灿光电7704.18万元3465.83万元4104.6万元

厦门乾照光电股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种电极结构、微型发光二极管发明专利实质审查的生效、公布CN202610916488.52026-06-24CN122497168A2026-07-31林桂云、刘立悰、何剑、李志华、李敏华2一种集成芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610751419.32026-05-28CN122438444A2026-07-21曲晓东、谭桂英、罗桂兰、张靖榕、尤翠萍、邬新根、程伟3一种集成芯片及其制作方法发明专利公布CN202610751418.92026-05-28CN122579800A2026-08-14曲晓东、谭桂英、罗桂兰、张靖榕、尤翠萍、邬新根、程伟4一种LED芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610546668.92026-04-23CN122121365A2026-05-29邬新根、刘伟、王锐、王恩泽、高俊5在MOCVD反应腔的不锈钢部件上制备保护层的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610392768.02026-03-27CN122214843A2026-06-16王爱民、朱容昕、陈少彬、万志、杨少鑫6一种微型LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610367834.92026-03-24CN122069851A2026-05-19刘伟、王恩泽、高俊、苏童、王锐7一种等离子体刻蚀装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610350142.32026-03-20CN122051106A2026-05-15刘伟、高俊、苏童、王锐、王恩泽8一种LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610294804.X2026-03-11CN122180220A2026-06-09陈帅城、邬新根、刘伟、何剑、李敏华、杨德佑、刘泽文9一种微型LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610210263.82026-02-13CN122054776A2026-05-15刘伟、王恩泽、邬新根、尤翠萍、高俊10倒装LED芯片、显示模组及倒装LED芯片的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610104480.92026-01-26CN121751840A2026-03-27邬新根、张溢、刘伟、王锐、王恩泽11一种可见光通信半导体器件及其制作方法、外延结构发明专利实质审查的生效、公布CN202512019446.X2025-12-30CN121751836A2026-03-27邢志恒、杨少鑫、朱容昕、史成丹、卓祥景12一种晶圆镀锅自动上下片设备和方法发明专利公布CN202512008738.32025-12-29CN121843471A2026-04-10马金鹿、何剑、王伟、张天琦、孙佃朋13一种倒装高压发光二极管芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511882301.62025-12-15CN122206032A2026-06-12刘伟、王锐、高俊、邬新根、陈帅城14一种Micro LED全彩显示模组及其制作方法、显示装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511814462.12025-12-04CN121487420A2026-02-06江方、艾国齐、冯妍雪15一种电极结构、LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511804627.72025-12-03CN121604575A2026-03-03陈帅城、邬新根、刘伟、刘泽文、杨德佑、叶玲娜、郭颖宏16一种LED芯片及其制作方法发明专利公布CN202511747791.92025-11-26CN121568477A2026-02-24刘伟、邬新根、郭毅、王恩泽、何剑、李敏华17具有叠层的Micro-LED芯片及其制作方法、显示装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511744583.32025-11-25CN121531881A2026-02-13冯妍雪、艾国齐、卓祥景、赵斌18一种MOCVD自动上下片方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511705800.82025-11-20CN121586429A2026-02-27马金鹿、何剑、王伟、孙佃朋19一种LED芯片及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511568065.02025-10-30CN121152447A2025-12-16余洪铃、梁永能、柯志杰、崔恒平、李敏华20一种垂直结构LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511386123.82025-09-26CN121099803A2025-12-09曲晓东、谭桂英、罗桂兰、尤翠萍、邬新根、程伟21一种LED芯片及其制作方法、生长衬底发明专利实质审查的生效、公布CN202511392019.X2025-09-26CN121310729A2026-01-09王爱民、朱容昕、陈少彬、万志、杨少鑫22一种外延结构、衬底、LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511391961.42025-09-26CN121335306A2026-01-13王爱民、朱容昕、陈少彬、万志、杨少鑫23一种单片集成芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511356446.22025-09-22CN121240574A2025-12-30邢志恒、朱容昕、刘兆、江颖、杨少鑫、卓祥景、何剑、李敏华24一种外延结构及其制备方法发明专利授权CN202511345279.12025-09-19CN120835640B2026-01-06王莎莎、程伟、刘兆、万志、卓祥景25一种LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511284237.12025-09-09CN121152422A2025-12-16谭桂英、艾国齐、李洁、何剑、李敏华26一种LED芯片及其制作方法、显示装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511178978.12025-08-22CN121057376A2025-12-02赵斌、张靖榕、罗桂兰、尤翠萍、李敏华、何剑27一种提高发光效率的外延结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510909843.12025-07-02CN120813138A2025-10-17万志、刘兆、王莎莎、卓祥景、程伟、何剑、李敏华28一种正装LED芯片及其制作方法和发光装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510867323.92025-06-26CN120529717A2025-08-22陈帅城、邬新根、李敏华、何剑、刘伟、唐阳29一种正装LED芯片和发光装置实用新型授权CN202521321991.32025-06-26CN224402022U2026-06-23陈帅城、邬新根、李敏华、何剑、刘伟、唐阳30一种透明导电材料层的蚀刻方法、LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510751066.22025-06-06CN120603400A2025-09-05刘伟、邬新根、何剑、李敏华、王锐、王恩泽、高俊31外延结构及制作方法、厚度设计方法、LED芯片和显示装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510704058.22025-05-29CN120603406A2025-09-05王爱民、陈少彬、万志、朱容昕、杨少鑫32一种外延结构、半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510400383.X2025-04-01CN120224802A2025-06-27邢志恒、刘兆、史成丹、朱容昕、卓祥景、林忠宝、程伟33一种单面发光LED芯片及其制作方法、显示器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510340467.92025-03-21CN120035281A2025-05-23曲晓东、谭桂英、陈凯轩、杨克伟、赵斌、江土堆、程桢、尤翠萍、费云瑞34一种单面发光LED芯片、显示器件实用新型授权CN202520506077.X2025-03-21CN223943114U2026-02-24曲晓东、谭桂英、陈凯轩、杨克伟、赵斌、江土堆、程桢、尤翠萍、费云瑞35一种LED芯片实用新型授权CN202520503298.12025-03-21CN224069061U2026-03-31王振礼、张靖榕、赵斌、曲晓东、罗桂兰、陈凯轩、费云瑞36一种垂直结构LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510302286.72025-03-14CN119967960A2025-05-09程桢、陈凯轩、曲晓东、杨克伟、江土堆37一种垂直结构LED芯片及发光装置实用新型授权CN202520446562.22025-03-14CN224069052U2026-03-31程桢、陈凯轩、曲晓东、杨克伟、江土堆38一种LED芯片及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510299419.X2025-03-13CN119967966A2025-05-09陈帅城、邬新根、费云瑞、何剑、张佳宏、刘泽文、王璐39一种LED芯片实用新型授权CN202520441697.X2025-03-13CN223943115U2026-02-24陈帅城、邬新根、费云瑞、何剑、张佳宏、刘泽文、王璐40一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510270268.52025-03-07CN119967972A2025-05-09陈帅城、叶玲娜、杨德佑、邬新根、费云瑞、张佳宏、何剑41一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置发明专利实质审查的生效、公布CN202510270263.22025-03-07CN119967971A2025-05-09杨德佑、叶玲娜、何剑、邬新根、陈帅城、费云瑞、张佳宏42一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置实用新型授权CN202520395461.72025-03-07CN224234093U2026-05-12杨德佑、叶玲娜、费云瑞、邬新根、陈帅城、何剑、张佳宏43一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置实用新型授权CN202520395462.12025-03-07CN224234094U2026-05-12陈帅城、叶玲娜、杨德佑、邬新根、何剑、费云瑞、张佳宏44一种倒装LED芯片及其制备方法、设备发明专利实质审查的生效、公布CN202510217243.92025-02-26CN119997689A2025-05-13苏童、刘伟、邬新根、高俊、潘建45一种LED外延结构及其制作方法发明专利授权、公布CN202411989697.X2024-12-31CN119767888B2025-10-24王莎莎、万志、卓祥景、程伟、陈少彬46一种LED芯片和发光装置实用新型授权CN202423285807.22024-12-31CN223829725U2026-01-23曲晓东、谭桂英、陈凯轩、江土堆、赵斌、杨克伟、罗桂兰、张靖榕47一种外延结构及其制作方法、LED芯片发明专利授权CN202411976980.92024-12-31CN119789630B2026-06-30万志、王莎莎、程伟、卓祥景、林忠宝48一种LED芯片及其制作方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411955642.72024-12-28CN119584731B2025-09-26段方方、刘伟、邬新根49一种LED芯片实用新型授权CN202423253887.32024-12-28CN223957908U2026-02-27段方方、刘伟、邬新根50一种蒸镀装置及LED芯片实用新型授权CN202423150453.02024-12-20CN223561664U2025-11-18杨德佑、潘健、罗焕秋、陈帅城、叶玲娜