国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“一种波浪型坩埚及氧化镓晶体的生长方法”的专利，公开号CN122629577A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供了一种波浪型坩埚及氧化镓晶体的生长方法，属于氧化镓制备技术领域。本发明提供了一种波浪型坩埚，所述波浪型坩埚的横截面的边缘为波浪状的凹凸形貌。本发明波浪形坩埚的结构设计，通过增加初始坩埚周长来应对降温阶段铂铑(铱)收缩量超过晶体的收缩量的技术难题，在氧化镓晶体的生长过程中，波浪型坩埚的坩埚壁和氧化镓晶体将紧密接触，在氧化镓熔化、晶体生长完成后，波浪型坩埚和氧化镓晶体都会开始降温，波浪型坩埚的线性收缩量大于氧化镓晶体周长的收缩量，在坩埚的波浪型结构的内凹部分，波浪型坩埚与氧化镓晶体之间自然形成了间隙，从而实现了波浪型坩埚与氧化镓晶体的局部分离，降低机械应力缺陷，生长出高质量氧化镓单晶。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本190.3645万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息70条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员