国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“NORD闪存器件的信息存储方法”的专利，公开号CN122633113A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种NORD闪存器件的信息存储方法，在相邻栅极叠层结构之间形成源极线，使得NORD闪存器件的存储单元具有两种状态：“01”/“10”，两个bit一起表征“0”或“1”，每一对bit只存储一位信息。本发明提供的NORD信息存储方法有效克服lot to lot、wafer to wafer、die to die、bit to bit之间的差异，避免采用统一Margin设置导致的低良，同时，解决目前NORD信息存储方式中Program偏深对相邻bit的影响。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目934次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7909条，此外企业还拥有行政许可464个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员