韩媒ZDNET Korea在其当地时间24日的报道中表示，该国两大半导体企业三星电子、SK海力士正持续向中国NAND晶圆厂投资，以扩充闪存产能，缩小供需差距。

报道指出，三星电子自2026H1以来一直在推进西安X2晶圆厂的工艺升级，将既有老旧制程产线升级至最新的第9代 V NAND（286层）。消息人士表示，三星电子计划为该工厂导入新的蚀刻工艺设备，相关采购订单预计在2026年内落地。

另一方面SK海力士的投资则围绕大连第二晶圆厂展开，计划新增每月3万片晶圆的产能，光刻机等关键制造设备预计将从2026年10月开始导入。

本文源自：IT之家