铠侠（Kioxia）宣布，位于日本岩手县北上市的工厂将进行扩建，兴建新的Fab 3工厂，以提高BiCS FLASH闪存的产能。Fab 3会建在Fab 2以南的位置上，目标是在2029财年开始运营。另外铠侠还将与闪迪（SanDisk）联手，计划持续至2032年，在日本投资超过310亿美元，以扩大存储领导行业领导地位。

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铠侠表示，NAND闪存市场预计在中长期内持续增长，主要受代理型AI、物理AI和设备端AI的推动。通过兴建Fab3，铠侠旨在通过扩大生产和确保尖端NAND闪存产品的稳定供应，来满足市场不断增长的需求，希望能够抓住这一市场机遇。Fab 3工厂的具体建设进度和投资将根据市场趋势确定，另外投资计划还取决于当地政府的支持。

铠侠和闪迪（包括之前的西部数据）在半导体行业拥有最长、最成功的合资合作伙伴关系，已经持续超过25年。双方的合作推动了数十年来NAND闪存技术的创新和发展，过去25年在日本累计投资超过了500亿美元。未来顺应市场趋势，双方将对三重县四日市市与岩手县北上市的工厂提供持续的基础设施建设支持，并继续提供先进的技术，以满足全球范围内由AI和数据驱动的增长需求。

今年1月，铠侠和闪迪已确定将位于日本三重县四日市市的工厂合资协议延长五年，至2034年12月31日。