国家知识产权局信息显示,湖北中一科技股份有限公司申请一项名为“一种超低损耗高附着力的线路板用反转铜箔及其制备方法”的专利,公开号CN122649038A,申请日期为2026年5月。
专利摘要显示,本发明涉及复合铜箔技术领域,具体涉及一种超低损耗高附着力的线路板用反转铜箔,包括铜箔基底,铜箔基底的光面作为信号面、毛面作为压合面;还包括设置在所述信号面一侧的复合过渡层、设置在所述压合面一侧的粗化层和设置在所述粗化层上的钝化层。本发明提出“信号面先改性、压合面后粗化”的反转铜箔制备新逻辑,先在信号面沉积复合复合过渡层锁定超低粗糙度与低损耗性能,再对压合面进行可控粗化提升与基材的结合力,避免传统工艺粗化后改性对信号面形貌的破坏,实现铜箔双界面性能的差异化精准调控。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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