国家知识产权局信息显示，中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司申请一项名为“水平区熔法单晶生长装置和弛豫铁电单晶的生长方法”的专利，公开号CN122649067A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供了一种水平区熔法单晶生长装置和弛豫铁电单晶的生长方法。本申请提供的单晶生长装置包括炉体以及位于炉体内部的晶体生长机构，炉体与晶体生长机构在水平方向上可以相对移动；沿水平方向，炉体内部依次包括预热区、过渡区、熔化区、梯度区和退火区；沿水平方向，熔化区的长度为10mm~40mm。设置熔化区的长度较短，可以减少熔化时因各原料分凝系数不同造成晶体不同部位的成分和性能不一致。采用本申请提供的单晶生长装置和生长方法制备弛豫铁电单晶，有利于改善晶体的化学成分和压电性能的均匀性，从而提高单晶材料的利用率和晶片性能均匀性。

天眼查资料显示，中材人工晶体研究院有限公司，成立于2000年，位于北京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本22124.987112万人民币。通过天眼查大数据分析，中材人工晶体研究院有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目73次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可115个。

北京中材人工晶体研究院有限公司，成立于2005年，位于北京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本19016.682542万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中材人工晶体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目122次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可18个。

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作者：情报员