国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置及制造半导体装置的方法”的专利，公开号CN122662206A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一行线；位于第一行线上的第一列线；位于第一行线与第一列线之间并包含在第一电流路径中的第一存储单元；第三行线；位于第三行线上的第三列线；位于第三行线与第三列线之间并包含在比第一电流路径长的第三电流路径中的第三存储单元；包括分别与第一行线和第三行线电连接的第一个第一接触插塞和第三个第一接触插塞的第一接触插塞；包括分别与第一列线和第三列线电连接的第一个第二接触插塞和第三个第二接触插塞的第二接触插塞；位于第一接触插塞中的第一个第一接触插塞与第一行线之间的第一阻挡图案；以及位于第一阻挡图案与第一行线之间的第二阻挡图案。

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作者：情报员