国家知识产权局信息显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司申请一项名为“等离子体源冷却系统”的专利，公开号CN122663684A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，提供了用于在半导体制造中使用的等离子体源的冷却系统和方法。在一个示例中，等离子体源包括绕介电管的感应线圈。等离子体处理装置还包括法拉第屏蔽件，法拉第屏蔽件位于感应线圈与介电管之间。法拉第屏蔽件包括多个法拉第屏蔽狭缝。等离子体处理装置还包括等离子体源冷却系统，等离子体源冷却系统包括歧管。歧管包括多个喷嘴，每个喷嘴被配置为通过多个法拉第屏蔽狭缝中的一个法拉第屏蔽狭缝将冷却流体供应到介电管的表面上。

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作者：情报员