来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制造方法”的专利，授权公告号CN116722036B，授权公告日为2026年8月28日。申请公布号为CN116722036A，申请号为CN202310871387.7，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2023年7月14日，发明人谈亚丽，分类号H10D64/27、H10B12/00。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构包括：具有相对的第一面和第二面的基底，基底内具有由第一面向第二面延伸的沟槽，沟槽包括相连通第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽与第二面之间；相互分立的第一栅极和第二栅极，第一栅极位于第一沟槽中，第二栅极位于第一沟槽中且延伸至第二沟槽中；第一半导体层，自第一面延伸至第一沟槽的内壁，且位于第一栅极朝向第一沟槽内壁的一侧，且还延伸至第二栅极电接触；第二半导体层，自第一面依次延伸至第一沟槽内壁、第二沟槽侧壁以及第二沟槽的底面，第二半导体层位于第二栅极朝向第一沟槽内壁以及第二沟槽内壁的一侧。本公开实施例至少有利于提高半导体结构的性能。

长鑫科技是国内DRAM领域领军企业，专注存储器研发制造，具备全产业链一体化核心优势。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于安徽省合肥市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，覆盖长鑫存储、26中报业绩反转、新股与次新股三大概念板块。

2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，在53家同行业企业中位列第一，大幅领先第二名江波龙的240.88亿元，远超59.44亿元的行业平均水平与13.78亿元的行业中位数；同期实现净利润1075.5亿元，同样位居行业首位，较第二名江波龙的107.18亿元差距显著，远高于29.85亿元的行业平均数与1.99亿元的行业中位数，经营表现大幅领跑赛道。

指标类型 具体指标 数值 行业排名/对比情况 营收表现 2026年上半年营业收入 1503.1亿元 行业排名1/53，远超第二名240.88亿元、行业均值59.44亿元、行业中位数13.78亿元 盈利表现 2026年上半年净利润 1075.5亿元 行业排名1/53，远超第二名107.18亿元、行业均值29.85亿元、行业中位数1.99亿元

长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种存储器、控制方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611022442.52026-07-09CN122526515A2026-08-07李红文、陈泳良、田凯2刷新控制电路、存储器以及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611015250.12026-07-08CN122531433A2026-08-07李红文、王丹、张良、田凯3一种存内处理芯片和存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202611007320.92026-07-07CN122511315A2026-08-04李红文、陈泳良、田凯4存储器件、存储系统以及电子设备发明专利公布CN202611007295.42026-07-07CN122598716A2026-08-18李红文、陈浩然、沈鹏辉、田凯5一种半导体结构、半导体结构的制作方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610882609.92026-06-18CN122421745A2026-07-17刘明源、高王荣、李春晓、邓宗伟、王宝超6半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610813358.92026-06-05CN122349219A2026-07-07王贺、李辉辉、刘明源7半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610772665.72026-05-29CN122340813A2026-07-03吴楠、刘明源、黎冠杰、张大卫8半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610746437.22026-05-27CN122269693A2026-06-23吴楠、张大卫、刘明源9半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610728657.22026-05-25CN122269692A2026-06-23初剑、祝康、张卓强、葛瑞、元琳、吴楠、刘明源10半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610693464.82026-05-19CN122248730A2026-06-19李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源11半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610683414.12026-05-18CN122269706A2026-06-23吴楠、冯道欢、冯唯、刘明源12介电材料介电常数提升方法、片内与半导体电容提升方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610667986.02026-05-14CN122205885A2026-06-12刘明源、李泽伦、杨晨、李辉辉、孟皓13半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610659870.22026-05-13CN122205859A2026-06-12初剑、李晓杰、葛瑞、张卓强、祝康、元琳、吴楠、刘明源14半导体结构及其制作方法、存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202610656833.62026-05-13CN122227879A2026-06-16孙靖莹、崔常松、张桐、万国良、元琳、刘明源15半导体结构的金属层图案的形成方法及金属层图案发明专利实质审查的生效、公布CN202610652448.42026-05-12CN122206182A2026-06-12焦文中、刘明源、许翎靖、常方强、夏大伟16半导体结构及其制备方法、电子设备发明专利授权CN202610595219.32026-04-30CN122121158B2026-07-31吴雨阳、郭泽安、张军超、刘明源17半导体结构、半导体结构制备方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610559824.52026-04-24CN122094154A2026-05-26刘明源、孙政、张明、元琳18半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610549949.X2026-04-23CN122094106A2026-05-26刘明源、杜国安、邓放心、汪恒19一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利授权CN202610525311.22026-04-20CN122121156B2026-07-31刘明源、李泽伦、孟皓、杨晨、李辉辉20电容器及其制造方法、半导体结构发明专利授权CN202610525556.52026-04-20CN122091393B2026-08-28刘明源、李泽伦、李辉辉、杨晨、孟皓21半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610525569.22026-04-20CN122121157B2026-08-28刘明源、章星、黎冠杰22一种半导体结构的制作方法发明专利授权CN202610501503.X2026-04-16CN122054587B2026-08-07张永胜、万国良、元琳、刘明源23半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610475581.72026-04-10CN122028418A2026-05-12郭泽安、张军超、袁子豪、李辉辉、刘明源24半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备发明专利授权CN202610427522.22026-04-02CN121969131B2026-07-17刘明源、孙政、张明、元琳25半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610416387.12026-03-31CN121968579B2026-07-31王耐征、孟敬恒、任科、许业陶、李旋、刘明源26一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利授权CN202610395899.42026-03-27CN121941050B2026-06-05卢小龙、田恩强、刘明源、元琳、张明、章富27存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377289.12026-03-25CN121908553A2026-04-21李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源28存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377306.12026-03-25CN121924753A2026-04-24李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源29一种片选信号校准电路和存储器发明专利授权CN202610368800.12026-03-24CN121905233B2026-06-19李红文、魏斌30半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610352208.22026-03-20CN121888603B2026-07-31刘明源、高王荣、鲍锡飞31一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610335492.22026-03-18CN121865615A2026-04-14刘明源、孙政、元琳、刘彪32半导体结构及其形成方法发明专利授权CN202610319848.32026-03-16CN121888602B2026-07-24孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源33存储器及其操作方法发明专利授权CN202610202220.52026-02-11CN121687136B2026-06-19李红文、曹忠伟、高恩鹏、孙见鹏34存储器件及其制作方法发明专利授权CN202610189154.22026-02-10CN121692646B2026-05-08刘明源、元琳、孙政、梁涛35存储器件发明专利公布CN202610180070.22026-02-09CN121687137A2026-03-17李红文、尚为兵、徐晗、罗怡菲、杨名36存储器件以及电子设备发明专利授权CN202610185868.62026-02-09CN121687150B2026-05-08李红文、肖磊、孙见鹏37存储器件的测试方法发明专利授权CN202610158024.22026-02-04CN121641157B2026-04-17李红文、张春宇38一种电阻校准电路、存储器和电子设备发明专利授权CN202610154880.02026-02-03CN121641139B2026-05-08李红文、饶晗39半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610154983.72026-02-03CN121645865B2026-05-15刘明源、涂火金、郭琦40存储器发明专利授权CN202610143626.02026-02-02CN121687142B2026-06-05李红文41电压调控电路及存储器发明专利授权CN202610140929.72026-01-30CN121641092B2026-05-08李红文、尚为兵42半导体器件及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610121167.62026-01-28CN121604412B2026-05-26刘明源、孙政、李晓杰、张明、元琳43一种半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利授权CN202610069717.42026-01-20CN121548042B2026-04-24张明、石树斌、曹鹏程、王莎莎、刘明源44半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202610055564.82026-01-15CN121548041B2026-06-05刘明源、李春晓、雷斌、张力、邓宗伟、王宝超45一种半导体结构及其制备方法发明专利授权CN202610049381.52026-01-14CN121548106B2026-07-24刘明源、涂火金46基于存储器进行逻辑运算的方法、存储器发明专利授权CN202610036412.32026-01-12CN121506215B2026-05-15刘明源、吴元军、高王荣、邓宗伟、王宝超、王凌翔47半导体结构及半导体结构的制备方法发明专利授权CN202512059357.82025-12-31CN121442690B2026-05-08孙鹏超、钟宝健、张明、冯唯、孙政、刘明源48半导体结构的制备方法与半导体结构发明专利授权CN202512035000.62025-12-30CN121443041B2026-04-17孙政、毛思玮、丁天、田灿灿、张明、元琳49半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511014236.52025-07-22CN120881989A2025-10-31杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源50半导体结构的切割方法及芯片单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511014227.62025-07-22CN120878640A2025-10-31盛薄辉、赵合明、李华博、王子安、谢炜、黄国铭