国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“制造处理期间的基板变形的控制”的专利，公开号CN122664092A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，所公开的技术包括获得具有前侧支撑沉积特征的晶片，及辨识一或多个保护膜的第一特性及一或多个应力补偿层(SCL)的第二特性。所述技术进一步包括在所述晶片的前侧上形成所述保护膜，并在所述晶片的背侧上沉积所述SCL。所述技术进一步包括使至少一个SCL经受应力调变射束，导致所述晶片的鞍形变形减小，及从所述一或多个沉积特征移除所述保护膜。

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作者：情报员