国家知识产权局信息显示，长电科技管理有限公司申请一项名为“一种封装结构及其制备方法”的专利，公开号CN122660575A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体封装技术领域，尤其是涉及一种封装结构及其制备方法。本申请制备方法通过在其他元件的第二表面贴装第一阻挡件，调控滤波器芯片的背面至封装基板上表面的距离小于第一阻挡件至封装基板上表面的距离，建立应力梯度，使得覆膜过程中，封装薄膜在第一阻挡件第四表面的边缘拐角处受到应力而破裂，实现了封装薄膜断裂位置的选择和控制；同时，封装薄膜在第四表面的边缘拐角处断裂后覆盖滤波器芯片的侧壁，围合第一间隙形成所需的空腔，而其他位置的封装薄膜不易断裂，又保证了第二空隙的畅通，为塑封料填充提供条件。覆盖封装薄膜后，不再需要激光破膜，避免了激光破膜工艺带来的粉尘污染和热损伤的问题，提高了产品的良率。

天眼查资料显示，长电科技管理有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本550000万人民币。通过天眼查大数据分析，长电科技管理有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目249次，专利信息176条，此外企业还拥有行政许可44个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员