国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包括超晶格源极/漏极的半导体器件及相关方法”的专利，公开号CN122664052A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，一种半导体器件可包括衬底、位于衬底上方的交替栅极层和纳米结构层的堆叠体，以及在堆叠体的第一侧横向相邻堆叠体并从衬底延伸至堆叠体上表面以限定第一源极/漏极区的第一超晶格。第一超晶格可包括多个堆叠的层组，每个层组包括多个堆叠的基础半导体单层（限定基础半导体部分）和至少一个被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的非半导体单层。第一超晶格的非半导体单层可沿着从各自相邻的纳米结构层部分向外延伸的生长环布置。

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作者：情报员