国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种碳化硅沟槽MOSFET器件”的专利，公开号CN122662252A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅沟槽MOSFET器件，属于碳化硅器件技术领域，该碳化硅沟槽MOSFET器件，包括碳化硅外延层；阱区，设置在所述碳化硅外延层中，且所述阱区的导电类型与所述碳化硅外延层的导电类型不同；沟槽栅极结构，设置在所述阱区中，且所述沟槽栅极结构的底部延伸至所述碳化硅外延层中；两个有源区，分设在所述沟槽栅极结构的两侧，且所述有源区靠近所述沟槽栅极结构的一侧具有至少一个凸出，以嵌入所述沟槽栅极结构中。通过设置有源区的形状，使其朝向沟槽栅结构的一侧凸出，扩展了有源区的长度，增大了沟道的宽度，增加了沟道的横截面积，降低了沟道电阻。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员