随着芯片制造商加速推进先进制程节点，High-NA EUV系统再次受到大家的关注，也让ASML（阿斯麦）更加高调地宣传新一代光刻技术。今年7月，ASML宣布英特尔已在Intel 18A工艺上采用High-NA EUV光刻技术，生产部分代号“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列处理器，成为了业界首个采用High-NA EUV光刻技术大规模生产逻辑芯片的企业。

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据TrendForce报道，近日ASML高级副总裁兼High-NA EUV产品主管Greet Storms在出席活动时透露，目前全球已经有10套High-NA EUV系统上线，分别安装在4个客户的晶圆厂，另外还有3套High-NA EUV系统正在发货或者安装当中。

Greet Storms表示，High-NA EUV系统正迈向高量产阶段，ASML已经为其制定了多代生产力路线图：在AB模式下，预计产能将从TWINSCAN EXE:5200B的135 WPH提升至TWINSCAN EXE:5200C的160 WPH，然后再到TWINSCAN EXE:5200D的175 WPH，最后到TWINSCAN EXE:5200E的180 WPH。如果换成AA模式，预计产能将超过210 WPH。

在更长远的未来，ASML还将推出TWINSCAN EXE:5600，目标产能将超过250 WPH。

除了逻辑芯片外，High-NA EUV系统也为DRAM扩展提供了可能。SK海力士去年在M16晶圆厂已安装TWINSCAN EXE:5200B，外界猜测SK海力士会尝试用于新型DRAM芯片制造上。三星也同样安装了High-NA EUV系统，预计2030年在1nm制程节点引入，至于DRAM方面的情况暂时还不清楚。