三星半导体在FMS 2026峰会上公布的V10 BV-NAND，原本被视作大容量存储的解决方案，如今它的目标更远——下一代PCIe Gen7固态硬盘。三星在当地时间8月30日发布的内部采访中确认了这一方向。

架构变了，性能才能突破

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V10 BV-NAND采用3D Bonded-VNAND架构，与传统的垂直堆叠不同，它把存储单元和外围电路分别做在两片晶圆上，再用晶圆键合工艺组合。存储单元本身由三个高深宽比堆栈结合，累计层数超过400层。

这种做法的直接好处是：外围器件不再受存储单元堆叠的物理限制，可以独立优化。三星半导体表示，独立构建让外围器件的性能可以最大化，再通过电路设计放大这一优势，最终实现高性能和低功耗。

三项关键指标，分别提升58%、33%、25%

V10 BV-NAND还整合了多孔、零假孔、Pin-ODT、DFE、RDCA、低电压、电源隔离低抽头终端（PI-LTT）等一系列技术。最终的结果是：位密度提升58%，I/O速率提升33%，功耗降低25%。

这三项数据的意义在于，它们恰好对应了PCIe Gen7固态硬盘最需要的三个能力：更大的容量、更快的传输、更低的发热。128TB大容量固态硬盘只是第一步，V10 BV-NAND的架构弹性，让它有机会成为下一代高速存储的核心部件。