国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司取得一项名为“一种半导体结构及电子设备”的专利，授权公告号CN224710060U，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本实用新型实施例提供了一种半导体结构及电子设备，半导体结构包括设置有至少包括依次堆叠的第一介质层、第二介质层和第一金属层的第一器件复合层的基底，第一器件复合层的部分区域在功能边缘区形成具有第一预设尺寸的平台区，且对应功能边缘区，第一器件复合层设置有侧墙层和填充于导电接触孔、并与第一金属层相接触的导电柱；导电接触孔贯穿侧墙层、第一介质层和第二介质层，或者，导电接触孔贯穿侧墙层、第一介质层、第二介质层和部分第一金属层，且导电接触孔在基底上的投影尺寸大于或等于第一预设尺寸的70％，从而提高半导体结构的电学性能。

天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息557条，此外企业还拥有行政许可22个。

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作者：情报员