国家知识产权局信息显示，厦门赛特勒磁电有限公司取得一项名为“一种MOS管串联分压的超宽输入电压反激电路”的专利，授权公告号CN224709568U，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种MOS管串联分压的超宽输入电压反激电路，包括设置在L线和N线之间的整流滤波电路，设置在整流滤波电路两端的相互串联设置的变压器初级侧主绕组、上MOS管电路、内置下管MOS的集成电源芯片，变压器次级侧绕组与输出整流滤波电路相连。通过采用上述结构，MOS管Q1与含内置MOS的电管管理IC在开关电路关断时，所承受的电压由MOS管Q1的寄生电容以及上管MOS分压电容C1和下管分压瓷片电容C2决定，根据内置下管MOS的集成电源芯片的寄生电容选取MOS管Q1，并调节上管MOS分压电容C1和下管分压瓷片电容C2容值。本实用新型通过上下MOS管分压的方法解决高输入电压时，集成高耐压MOS电源芯片稀缺且昂贵的问题。

天眼查资料显示，厦门赛特勒磁电有限公司，成立于2004年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本130万美元。通过天眼查大数据分析，厦门赛特勒磁电有限公司参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可17个。

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作者：情报员