国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“减小HBT器件单晶与多晶区外延厚度差异的方法”的专利，公开号CN122679675A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本发明提供一种减小HBT器件单晶与多晶区外延厚度差异的方法，采用分步外延工艺在单晶区表面和多晶区表面同时形成外基区，包括：在选择性外延生长条件下，于第一温度以第一生长速率生长成核层；在选择性外延生长条件下，于第二温度以第二生长速率在成核层上生长主体层，共同构成外基区；其中第一温度低于第二温度，第一生长速率低于第二生长速率。本方法先在低温低生长速率下为多晶区提供充足时间形成稳定成核层，再在高温高生长速率下生长主体层，使单晶区与多晶区上生长速率接近，减小了外延厚度差异，避免了填充空洞及漏电通道的产生，提升了器件良率与可靠性。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目378次，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可233个。

华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2951次，专利信息2143条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员