来源：新浪财经-锐眼工作室

近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，长沙半导体技术与应用创新研究院提交的“一种基于SOI工艺的时域存算一体芯片”布图设计正式获得国家知识产权局发布的集成电路布图设计专有权公告，标志着该款面向存算一体领域的自研芯片布图设计的知识产权得到官方权威确认，将为相关技术成果的后续落地转化与市场推广筑牢知识产权保护屏障。

本次公告的布图设计聚焦SOI工艺下的时域存算一体技术路线，是长沙半导体技术与应用创新研究院在先进半导体设计领域的重要研发成果，其获得官方专有权认定，也将进一步激励区域内半导体领域的技术创新活力，为存算一体赛道的技术迭代提供自主可控的新选项。

项目详情 发布时间2026年9月2日 布图设计登记号BS.255586728 布图设计申请日2025年10月29日 公告日期2026年9月2日 公告号98925 布图设计名称一种基于 SOI工艺的时域存算一体芯片 布图设计权利人长沙半导体技术与应用创新研究院 布图设计创作人陈卓俊 布图设计创作完成日2024年12月20日

从本次公开的公告细节来看，该布图设计的创作完成日为2024年12月20日，由陈卓俊担任核心创作人完成全部设计研发工作，长沙半导体技术与应用创新研究院作为布图设计权利人，于2025年10月29日正式向国家知识产权局提交了布图设计登记申请，对应的布图设计登记号为BS.255586728。经过相关部门的规范审核流程后，该申请于2026年9月2日正式通过公告，对应的公告号为98925，公告发布时间与公告日期保持一致，本次获得专有权认定的布图设计全称为“一种基于 SOI工艺的时域存算一体芯片”，是国内存算一体芯片设计领域结合SOI工艺路线的一次自主技术探索成果。

综合点评
本次自研存算一体芯片布图设计获国家专有权认定，是该院在先进半导体设计领域的关键里程碑。既为后续成果落地、市场推广筑牢知识产权防护墙，也夯实了其在存算一体赛道的自主技术储备，同时可激励区域半导体创新活力，为行业技术迭代提供自主可控新选项。