国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“优化中压器件栅氧化层厚度的方法”的专利，公开号CN122699370A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种优化中压器件栅氧化层厚度的方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成初始厚度的中压栅氧化层，初始厚度大于最大目标厚度；形成图形化的掩膜层在中压栅氧化层上，以图形化的掩膜层为掩膜，对低压器件区进行离子注入，并去除图形化的掩膜层；重复本步骤完成低压器件区的多次离子注入；量测中压栅氧化层的实际厚度，根据中压器件区的电压信息判断中压栅氧化层的目标厚度，并确定中压器件区内中压栅氧化层需要去除的厚度；去除部分厚度的中压栅氧化层，以使中压栅氧化层达到目标厚度。本申请解决了由于离子注入掩膜层的层数不同导致的栅氧化层厚度不一致的问题，从而有效避免了因厚度差异引起的电学性能的变化。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目651次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1805条，此外企业还拥有行政许可35个。

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作者：情报员